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SI7655ADN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:31A
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- 描述
- P沟道,-20V,-40A,0.0036Ω@-10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7655ADN-T1-GE3
- 商品编号
- C222495
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@2.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 4.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 6.6nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 930pF@10V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
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