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SI7370DP-T1-GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI7370DP-T1-GE3

1个N沟道 耐压:60V 电流:9.6A

描述
N沟道,60V,15.8A,0.011Ω@10V
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI7370DP-T1-GE3
商品编号
C222427
商品封装
PowerPAK-SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)15.8A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@6V
属性参数值
耗散功率(Pd)1.9W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)46nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

数据手册PDF

交货周期

订货1-3个工作日

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 15 个)
起订量:15 个3000个/圆盘

总价金额:

0.00

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