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SI3457CDV-T1-GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI3457CDV-T1-GE3

1个P沟道 耐压:30V 电流:5.1A

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描述
P沟道,-30V,-5.1A,0.074Ω@-10V
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI3457CDV-T1-GE3
商品编号
C222453
商品封装
TSOP-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.07克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.1A
导通电阻(RDS(on))113mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)5.1nC@10V
输入电容(Ciss)450pF
反向传输电容(Crss)63pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)80pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 9.8

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    (3000个/圆盘,最小起订量 5 个)
    起订量:5 个3000个/圆盘

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