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SISS23DN-T1-GE3实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SISS23DN-T1-GE3

1个P沟道 耐压:20V 电流:50A

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描述
P沟道,-20V,-50A,0.0045Ω@-4.5V
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SISS23DN-T1-GE3
商品编号
C222439
商品封装
PowerPAK1212-8S​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))11.5mΩ@1.8V
耗散功率(Pd)57W
阈值电压(Vgs(th))900mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)140nC@4.5V
输入电容(Ciss)8.84nF
反向传输电容(Crss)300pF
工作温度-50℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)835pF

数据手册PDF

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