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SI7613DN-T1-GE3实物图
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SI7613DN-T1-GE3

1个P沟道 耐压:20V 电流:35A

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描述
P沟道,-20V,-35A,0.0087Ω@-10V
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI7613DN-T1-GE3
商品编号
C222429
商品封装
PowerPAK1212-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.176克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)52.1W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)43nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.62nF
反向传输电容(Crss)87pF
工作温度-50℃~+150℃@(Tj)
类型P沟道
输出电容(Coss)535pF

数据手册PDF

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