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SI7613DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:35A
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- 描述
- P沟道,-20V,-35A,0.0087Ω@-10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7613DN-T1-GE3
- 商品编号
- C222429
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 535pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- TrenchFET功率MOSFET
- 采用低热阻PowerPAK封装，尺寸小，高度仅1.07 mm
- 100%进行Rq测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 负载开关-适配器开关-笔记本电脑
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