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SIHP25N40D-GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIHP25N40D-GE3

1个N沟道 耐压:400V 电流:25A

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描述
N沟道 400V 25A 170mΩ@13A
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIHP25N40D-GE3
商品编号
C222470
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))170mΩ@10V
耗散功率(Pd)278W
阈值电压(Vgs(th))5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)88nC@10V
输入电容(Ciss)1.707nF
反向传输电容(Crss)19pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)177pF

商品特性

~~- 优化设计-低面积比导通电阻-低输入电容(Ciss)-降低电容开关损耗-高体二极管耐用性-雪崩能量额定(UIS)-优化效率和运行-低成本-简单的栅极驱动电路-低品质因数(FOM):Ron × QG-快速开关-符合欧盟RoHS指令2011/65/EU

应用领域

  • 消费电子-显示器(LCD或等离子电视)-照明-工业-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-开关电源

数据手册PDF