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M95128-DRMN8TP/K
128Kbit串行SPI总线EEPROM，支持105°C工作，
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- 描述
- M95128-DRE是一款128Kbit串行SPI总线EEPROM，最高工作温度可达105°C。该设备兼容SPI总线，具有16K字节的EEPROM存储容量，支持高达20MHz的高速时钟频率，并具备4百万次的写周期寿命。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M95128-DRMN8TP/K
- 商品编号
- C222141
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 128Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 20MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 4ms |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 | |
| 写周期寿命 | 400万次 | |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；内置错误纠正码(ECC)功能；内置写使能锁存器(WEL) | |
| 工作电压 | 1.7V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
商品概述
M95128-DRE是一款128-Kbit串行EEPROM器件，工作温度最高可达105℃。该器件符合AEC-Q100等级2定义的可靠性标准。可通过简单的串行SPI兼容接口访问，接口运行速度最高可达20 MHz。存储阵列基于先进的真EEPROM技术（电可擦除可编程存储器）。M95128-DRE是字节可修改存储器（16384×8位），组织为256页，每页64字节，通过嵌入式纠错码逻辑显著提高了数据完整性。该器件提供额外的识别页（64字节），可读取器件标识，也可用于存储敏感应用参数，之后可永久锁定为只读模式。
商品特性
- 兼容串行外设接口（SPI）总线
- 128 Kbit（16 K字节）EEPROM；页大小：64字节；按块写保护：1/4、1/2或整个存储器；额外可写锁定页（识别页）
- 扩展的温度和电压范围：最高105℃（Vcc从1.7V到5.5V）
- 高速时钟频率：Vcc≥4.5V时为20 MHz；Vcc≥2.5V时为10 MHz；Vcc≥1.7V时为5 MHz
- 施密特触发器输入，用于噪声滤波
- 短写入周期时间：字节写入在4 ms内；页写入在4 ms内
- 写入周期耐久性：25℃时400万次写入周期；85℃时120万次写入周期；105℃时90万次写入周期
- 数据保留：105℃时超过50年；55℃时200年
- ESD保护（人体模型）：4000 V
- 封装：符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK2®）