M93S66-WMN6TP
带写保护功能的串行MICROWIRE总线EEPROM
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 4 Kbit(16位宽)MICROWIRE串行访问EEPROM,具有块保护
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M93S66-WMN6TP
- 商品编号
- C222394
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | 4Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 2MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 | |
| 写周期寿命 | 400万次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置上电复位(POR);页写保护功能;硬件写保护功能;噪声抑制功能 | |
| 工作电压 | 2.5V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 2mA | |
| 待机电流 | 10uA | |
| 读取访问时间(tA) | - |
商品概述
M93S46、M93S56、M93S66是电可擦可编程存储器(EEPROM),分别组织为64、128或256字(每个字16位),通过MICROWIRE总线访问。这些设备的工作电压范围为2.5V至5.5V,环境温度范围为-40℃至+85℃。
商品特性
- 兼容MICROWIRE总线串行接口
- 存储阵列:1Kbit、2Kbit或4Kbit EEPROM,按字(16位)组织,页为4字
- 写入特性:字节写入时间在5ms内,页写入时间在5ms内,编程期间提供就绪/忙信号
- 支持用户定义的写保护区域
- 高速时钟可达2MHz
- 单电源电压范围:2.5V至5.5V
- 工作温度范围:-40℃至+85℃
- 增强型ESD保护
- 写入周期超过400万次
- 数据保留时间超过200年
- 提供PDIP8(BN)、TSSOP8(DW)、SO8(MN)等封装类型
- 串行数据输出(Q)在串行时钟(C)上升沿输出数据
- 串行数据输入(D)接收指令、地址和写入数据,在串行时钟(C)上升沿锁存
- 串行时钟(C)为串行接口提供时序
- 芯片选择(S)低电平时设备处于 deselected 状态且串行数据输出(Q)为高阻抗,高电平时激活设备



