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M93S66-WMN6TP

带写保护功能的串行MICROWIRE总线EEPROM

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私有库下单最高享92折
描述
4 Kbit(16位宽)MICROWIRE串行访问EEPROM,具有块保护
商品型号
M93S66-WMN6TP
商品编号
C222394
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.285克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录EEPROM
接口类型-
存储容量4Kbit
时钟频率(fc)2MHz
写周期时间(Tw)5ms
数据保留 - TDR(年)200年
写周期寿命400万次
属性参数值
功能特性内置上电复位(POR);页写保护功能;硬件写保护功能;噪声抑制功能
工作电压2.5V~5.5V
工作温度-40℃~+85℃
工作电流2mA
待机电流10uA
读取访问时间(tA)-

商品概述

M93S46、M93S56、M93S66是电可擦可编程存储器(EEPROM),分别组织为64、128或256字(每个字16位),通过MICROWIRE总线访问。这些设备的工作电压范围为2.5V至5.5V,环境温度范围为-40℃至+85℃。

商品特性

  • 兼容MICROWIRE总线串行接口
  • 存储阵列:1Kbit、2Kbit或4Kbit EEPROM,按字(16位)组织,页为4字
  • 写入特性:字节写入时间在5ms内,页写入时间在5ms内,编程期间提供就绪/忙信号
  • 支持用户定义的写保护区域
  • 高速时钟可达2MHz
  • 单电源电压范围:2.5V至5.5V
  • 工作温度范围:-40℃至+85℃
  • 增强型ESD保护
  • 写入周期超过400万次
  • 数据保留时间超过200年
  • 提供PDIP8(BN)、TSSOP8(DW)、SO8(MN)等封装类型
  • 串行数据输出(Q)在串行时钟(C)上升沿输出数据
  • 串行数据输入(D)接收指令、地址和写入数据,在串行时钟(C)上升沿锁存
  • 串行时钟(C)为串行接口提供时序
  • 芯片选择(S)低电平时设备处于 deselected 状态且串行数据输出(Q)为高阻抗,高电平时激活设备

数据手册PDF