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M24256-DFDW6TP
256 Kbit串行I²C总线EEPROM
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- 描述
- 256 Kbit串行I2C总线EEPROM
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M24256-DFDW6TP
- 商品编号
- C222357
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 1MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 | |
| 写周期寿命 | 400万次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；内置错误纠正码(ECC)功能 | |
| 工作电压 | 1.7V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 2.5mA | |
| 待机电流 | 1uA | |
| 读取访问时间(tA) | - |
商品概述
M24256是一款256Kbit I²C兼容EEPROM（电可擦可编程存储器），组织为32K×8位。M24256-BW可在2.5V至5.5V的电源电压下工作，M24256-BR和M24256-DR可在1.8V至5.5V的电源电压下工作，M24256-BF和M24256-DF可在1.7V至5.5V的电源电压下工作。所有这些设备的时钟频率为1MHz或更低，环境温度范围为-40℃至+85℃。M24256-D系列提供一个额外的页面，称为识别页（64字节），可用于存储敏感应用参数，之后可永久锁定为只读模式。
商品特性
- 兼容以下I²C总线模式：1MHz、400kHz、100kHz
- 存储阵列：256Kbit（32Kbyte）EEPROM，页大小64字节；M24256-D系列具有额外的可写锁定页
- 单电源电压和高速：1.7V至5.5V下支持1MHz时钟
- 写入性能：字节写入在5ms内完成，页写入在5ms内完成
- 工作温度范围：-40℃至+85℃
- 支持随机和顺序读取模式
- 整个存储阵列的写保护功能
- 增强型ESD/闩锁保护
- 超过400万次写入周期
- 超过200年数据保留
- 封装：RoHS合规且无卤素（ECOPACK2），包括SO8 ECOPACK2、TSSOP8 ECOPACK2、UFDFPN8 ECOPACK2、WLCSP ECOPACK2；未切割晶圆（每个裸片已测试）
- 串行时钟（SCL）：用于选通SDA(in)上的数据和输出SDA(out)的数据
- 串行数据（SDA）：输入/输出，用于传输数据进出设备；SDA(out)为开漏输出，可与总线上其他开漏或集电极开路信号线或，需连接上拉电阻至Vcc
- 芯片使能（E2、E1、E0）：用于设置7位设备选择码的低三位（b3、b2、b1）的值，必须接Vcc或Vss，未连接时读为低（0）
- 写控制（WC）：用于保护整个存储内容免受意外写入操作；WC高时禁用整个阵列写入，低或浮空时启用；WC高时，设备选择和地址字节被确认，数据字节不被确认
- Vss：Vcc电源的参考地
- Vcc要求：操作前需施加有效稳定的Vcc电压在指定范围，建议在Vcc/Vss引脚附近用10nF至100nF的电容去耦；电压需稳定直到指令传输结束，写入指令需直到内部写入周期完成；Vcc需从0V连续上升到最小操作电压