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L6393D
L6393D
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- 描述
- 半桥栅极驱动器
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- L6393D
- 商品编号
- C222153
- 商品封装
- SO-14
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.268克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 430mA | |
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 75ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.9V~2.25V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV~1.1V | |
| 静态电流(Iq) | 600uA | |
| 功能特性 | 使能关断；内置自举二极管；死区时间控制；充电泵升压 |
商品概述
L6393是采用BCD离线技术制造的高压器件，是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。其高压侧（浮动）部分设计可承受高达600V的电压轨。逻辑输入兼容3.3V和5V的CMOS/TTL电平，便于与微控制器/DSP接口。该IC内置一个未承诺的比较器，可用于过流、过热等保护。
商品特性
- 高压轨高达600V
- 全温度范围内dV/dt抗扰度±50V/nsec
- 驱动电流能力：290mA源电流，430mA灌电流
- 1nF负载下开关时间：上升75nsec，下降35nsec
- 3.3V、5V CMOS/TTL输入比较器，带迟滞
- 集成自举二极管
- 未承诺的比较器
- 可调死区时间
- 紧凑简化的布局
- 减少物料清单
- 灵活、易用且快速的设计
应用领域
- 家用电器电机驱动器
- 工厂自动化
- 工业驱动器和风扇
- HID镇流器
- 电源单元