温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STL150N3LLH5
1个N沟道 耐压:30V 电流:195A
- 描述
- N沟道,30V,195A
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL150N3LLH5
- 商品编号
- C222117
- 商品封装
- PowerFLAT(5x6)
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 127pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.147nF |
商品概述
该器件是采用STripFETTMV技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件经过优化,可实现极低的导通电阻,其品质因数(FOM)在同类产品中名列前茅。
商品特性
- 该值根据 R\textthj-pcb 进行额定
- RDS(on) * Qg 行业基准
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用