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STL150N3LLH5
1个N沟道 耐压:30V 电流:195A
- 描述
- N沟道,30V,195A
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL150N3LLH5
- 商品编号
- C222117
- 商品封装
- PowerFLAT(5x6)
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 5.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 127pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.147nF |
商品概述
这些器件是采用MDmesh™ M2技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构，这些器件呈现出低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容（Coss）特性
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- LLC转换器、谐振转换器