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STGD4M65DF2
650V 8A
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- 描述
- 650 V、4 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGD4M65DF2
- 商品编号
- C222118
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 0.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 8A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 16A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@4A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 369pF | |
| 输出电容(Coes) | 24.8pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 8pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 12ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 86ns | |
| 导通损耗(Eon) | 40uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 136uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 133ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
该器件是采用先进专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件属于M系列IGBT，在低损耗和短路功能至关重要的场合，实现了逆变器系统性能与效率之间的良好平衡。此外，正的VCE(sat)温度系数和紧密的参数分布使并联操作更安全。
商品特性
- 短路耐受时间为6微秒
- VCE(sat)=1.6V（典型值），Ic=4A
- 参数分布紧密
- 并联操作更安全
- 热阻低
- 反并联二极管恢复软且非常快
应用领域
- 电机控制
- 不间断电源（UPS）
- 功率因数校正（PFC）