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STD7N60M2
1个N沟道 耐压:600V 电流:5A
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- 描述
- N沟道600 V、0.86 Ohm典型值、5 A MDmesh M2功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD7N60M2
- 商品编号
- C222089
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 950mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 271pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些器件是采用新一代MDmesh技术（MDmesh II Plus低Qg）开发的N沟道功率MOSFET。这些创新型功率MOSFET将垂直结构与条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它们适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 与上一代产品相比，RDS(on) x面积更低
- 低栅极输入电阻
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用