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STP80NF55L-06
1个N沟道 耐压:55V 电流:80A
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- 描述
- N沟道,55V,80A
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP80NF55L-06
- 商品编号
- C222087
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 136nC@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单特征尺寸™”条形工艺的最新研发成果。由此产生的晶体管展现出极高的封装密度，具备低导通电阻、坚固的雪崩特性，并且关键对准步骤更少，因此具有出色的制造重现性。
商品特性
- 典型RDS(导通) = 0.005 Ω
- 低阈值驱动
- 逻辑电平器件
- 表面贴装D²PAK (TO-263)功率封装，有管装（无后缀）或卷带装（后缀“T4”）
应用领域
- 大电流、高速开关
- 螺线管和继电器驱动器
- 电机控制、音频放大器
- DC-DC和DC-AC转换器
- 汽车应用