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IRFH3702TRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 这款N沟道消费级MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，专为高功率密度应用打造。额定电压30V，具备60A连续电流处理能力，尤其适用于电源转换、电池管理系统及紧凑型大电流设备，提供出色的导通性能与散热效率，是现代电子设备高效能功率控制的理想解决方案。
- 商品型号
- IRFH3702TRPBF-HXY
- 商品编号
- C20606260
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0386克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
IRFH3702TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 35 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 10 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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