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IRFML8244TRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 此款N沟道消费级MOSFET采用SOT-23封装，专为高效能、中高电流应用设计。额定电压30V，提供高达5.8A连续电流承载能力，尤其适用于电源转换、负载开关以及电池管理系统，具有低导通电阻和卓越的热性能，是现代电子设备的理想功率控制组件。
- 商品型号
- IRFML8244TRPBF-HXY
- 商品编号
- C20606255
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01836克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 582pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 87pF |
商品概述
IRLML9301TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -4.1A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 56mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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