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IRLML9301TRPBF-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRLML9301TRPBF-HXY

耐压:30V 电流:4.1A

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描述
此款SOT-23封装P沟道消费级MOSFET,专为高效能、中等电流应用设计。额定电压30V,具备4.1A连续电流处理能力,广泛应用于电源转换、负载开关以及便携式电子设备的功率控制模块,提供低导通电阻和卓越的热性能,是现代电子产品不可或缺的核心半导体元件。
商品型号
IRLML9301TRPBF-HXY
商品编号
C20606257
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.047333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.1A
导通电阻(RDS(on))56mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.32W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)7.3nC@4.5V
输入电容(Ciss)650pF
反向传输电容(Crss)95pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)115pF

商品概述

BSC0902NS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 30 V
  • ID = 150 A
  • RDS(ON) < 2.4 mΩ,VGS = 10 V

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF