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NCE30H10
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。可用于多种应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE30H10
- 商品编号
- C190854
- 商品封装
- TO-220-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 308pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 356pF |
商品概述
NCEP0114AS采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 100A
- RDS(ON)<5.5 m Ω(在 VGS=10 V 时,典型值为 4 m Ω)
- 高密度单元设计,实现超低 RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高 EAS,稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源