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NCEP0178AF
1个N沟道 耐压:100V 电流:78A
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- 描述
- NCEP0178AF采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP0178AF
- 商品编号
- C216783
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 78A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.48nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 425pF |
商品概述
NCEP01T12采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 129A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 5.0 mΩ
- 栅极电荷（Qg）×漏源导通电阻（RDS(on)）乘积优异
- 极低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 工作温度175 °C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试
应用领域
-DC/DC转换器-非常适合高频开关和同步整流