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NCE30D2519K
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:25A
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- 描述
- NCE30D2519K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE30D2519K
- 商品编号
- C216790
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.356克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 21W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
NCE30D2519K采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下具有出色的导通电阻RDS(ON)，可用于多种应用。
商品特性
- N沟道
- VDS = 30V,ID = 25A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 12 mΩ
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 18 mΩ
- P沟道
- VDS = -30V,ID = -19A
- 当VGS = -10V时,RDS(ON) < 35 mΩ
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 65 mΩ
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高单脉冲雪崩能量下稳定性和一致性良好
- 散热性能良好的优秀封装
- 具备高静电放电能力的特殊工艺技术
应用领域
- H桥
- 逆变器
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