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NCE65T180F
1个N沟道 耐压:650V 电流:21A
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- 描述
- 该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。这款超结MOSFET符合行业对功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源（SMPS）要求。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE65T180F
- 商品编号
- C216788
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 33.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该系列器件采用先进的沟槽栅超级结技术和设计，可实现出色的导通电阻RDS(ON)，且栅极电荷较低。这款超级结MOSFET满足行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源(SMPS)要求。
商品特性
- 适用于高压器件的新技术
- 低导通电阻和低传导损耗
- 小封装
- 超低栅极电荷，降低驱动要求
- 100%雪崩测试
- 符合ROHS标准
应用领域
- 功率因数校正(PFC)-开关电源(SMPS)-不间断电源(UPS)