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DMG1023UV-7
2个P沟道 耐压:20V 电流:1.03A
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- 描述
- 特性：双 P 沟道 MOSFET。低导通电阻。低栅极阈值电压。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。超小表面贴装封装。ESD 保护高达 3KV。无铅设计/符合 RoHS 标准。无卤和无锑“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG1023UV-7
- 商品编号
- C212298
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.03A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@1.8V,150mA | |
| 耗散功率(Pd) | 530mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 622.4pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 59.76pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
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