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DMN2005UFG-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:18.1A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2005UFG-7
- 商品编号
- C212317
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.7mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 164nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.495nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 477pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 546pF |
商品特性
- 创新设计
- 卓越的雪崩耐受技术
- 坚固的栅极氧化层技术
- 极低的本征电容
- 出色的开关特性
- 无与伦比的栅极电荷：22 nC（典型值）
- 扩展的安全工作区
- 更低的漏源导通电阻RDS(ON)：8.5 mΩ（典型值）@VGS = 10V
- 100%雪崩测试