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DMG7430LFG-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:10.5A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG7430LFG-7
- 商品编号
- C212330
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.281nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些双N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力的电池供电电路。
商品特性
- N沟道3.7A、30V，栅源电压VGS = 10 V时，漏源导通电阻RDS(ON) = 0.08 Ω。
- P沟道 -2.9A、 -30V，栅源电压VGS = -10 V时，漏源导通电阻RDS(ON) = 0.13 Ω。
- 高密度单元设计，实现极低的漏源导通电阻RDS(ON)。
- 在广泛使用的表面贴装封装中具有高功率和电流处理能力。
- 表面贴装封装的双（N和P沟道）MOSFET。
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