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ZXTN2007ZTA
NPN 电流:6A 电压:30V
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- 描述
- 特性：BVCEO = 30V。 IC = 6.0A 高连续电流。 低饱和电压 VCE(sat) < 35mV @ 500mA。 Rsat = 23mΩ 低等效导通电阻。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXTN2007ZTA
- 商品编号
- C212312
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 6A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 100@1A,1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 140MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 60mV@1A,20mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品特性
- 集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO） = 30 V
- 集电极电流（IC） = 6.0 A，高连续电流
- 低饱和电压：在500 mA时，集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)） < 35 mV
- 饱和电阻（Rsat） = 23 mΩ，低等效导通电阻
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- MOSFET栅极驱动器
- 充电电路
- 电源开关
- 电机控制