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MMST5551-7-F
NPN 电流:200mA 电压:160V
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- 描述
- 特性：外延平面芯片结构。 超小表面贴装封装。 互补NPN类型。 适用于低功率放大和开关。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高。 具备PPAP能力
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- MMST5551-7-F
- 商品编号
- C212613
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 160V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 250 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 300MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个NPN |
- PE1C101ME054A00CR0
- PC0J561ME080A00CR0
- PC1C101ME054A00CR0
- PC1C101ME090A00CR0
- CMT2150L
- HX42003-6WAF
- GRM155C81C225ME11D
- LT1763IS8-5#PBF
- TJA1057GTKZ
- R413F1100DQ00M
- R46KI2100JP01M
- R46KI310040M1K
- R46KI3220DQM2K
- R46KN322055M1K
- R46KN3470CKN0M
- R46KN3680JPM2M
- R46KN4100JPM1M
- R82DC3220SH60J
- T491A334K035AT
- T491B106K016ATAUTO
- T491B475K020AT