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ZXMN10A25GTA
1个N沟道 耐压:100V 电流:4A
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- 描述
- 这款新一代沟槽 MOSFET 采用独特结构，兼具低导通电阻和快速开关的优势，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN10A25GTA
- 商品编号
- C212308
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.232克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V；150mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 859pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 57pF |