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NCEP60T12AK
1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
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- 描述
- NCEP60T12AK采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP60T12AK
- 商品编号
- C216779
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.461克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 采用E系列技术的快速体二极管MOSFET
- 降低反向恢复时间（trr）、反向恢复电荷（Qrr）和峰值反向恢复电流（IRRM）
- 低品质因数（FOM）：导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
- 低输入电容（Ciss）
- 由于Qrr低，增强了鲁棒性
- 超低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定（UIS）
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-电信-服务器和电信电源-照明-高强度气体放电灯(HID)-发光二极管(LED)-消费电子和计算机-ATX电源-工业-焊接-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)-开关模式电源(SMPS)-采用以下拓扑的应用-LLC-移相桥(ZVS)-三电平逆变器-交流/直流桥