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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE3050

1个N沟道 耐压:30V 电流:50A

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描述
N沟道,Vds=30V,Id=50A
商品型号
NCE3050
商品编号
C191377
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.769克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))11mΩ@10V,25A
耗散功率(Pd)60W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)23nC@10V
输入电容(Ciss)2nF@15V
反向传输电容(Crss)160pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

NCE3050采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON),适用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 50A
  • 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 11 mΩ
  • 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 16 mΩ
  • 高密度单元设计,实现极低的导通电阻Rdson
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 具有高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能良好的封装
  • 采用特殊工艺技术,具备高静电放电ESD能力

应用领域

  • 功率开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF