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SCT10N120
SCT10N120
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- 描述
- 碳化硅功率MOSFET，1200 V、12 A、520 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SCT10N120
- 商品编号
- C191378
- 商品封装
- HiP-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 10克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ | |
| 输出电容(Coss) | 30pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 690mΩ |