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NCE01H10
1个N沟道 耐压:100V 电流:100A
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- 描述
- N沟道,Vds=100V,Id=100A
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE01H10
- 商品编号
- C191381
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
该器件是采用MDmesh™ M2技术开发的N沟道功率MOSFET。得益于其条形布局和改进的垂直结构，该器件具有低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- VDS = 100V,ID = 100A
- RDS(ON)< 13 m Ω@ VGS=10 V (典型值:9.9 m Ω )
- 具备高ESD能力的特殊工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 散热性能良好的出色封装
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源