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NCEP60T18实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP60T18

1个N沟道 耐压:60V 电流:180A

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描述
NCEP60T18采用了超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用
商品型号
NCEP60T18
商品编号
C216780
商品封装
TO-220-3L​
包装方式
管装
商品毛重
2.82克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)180A
导通电阻(RDS(on))2.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)220W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)70nC@10V
输入电容(Ciss)4.5nF@30V
反向传输电容(Crss)24pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

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