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NCEP40T15GU
1个N沟道 耐压:40V 电流:150A
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- 描述
- NCEP40T15GU采用了超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP40T15GU
- 商品编号
- C216778
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 135W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.21nF |
商品概述
G30N04采用先进的沟槽技术和设计，具备出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 40V,ID = 150A
- RDS(ON) = 1.09 m Ω(典型值),@ VGS = 10 V
- RDS(ON) = 1.5 m Ω(典型值),@ VGS = 4.5 V
- 出色的栅极电荷 x R D S ( o n ) 乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 工作温度150 °C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行UIS测试
应用领域
-DC/DC转换器-非常适合高频开关和同步整流