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NCE4012S实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE4012S

1个N沟道 耐压:40V 电流:12A

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描述
NCE4012S采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻(RDS(ON))。它可应用于多种领域。
商品型号
NCE4012S
商品编号
C216775
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
1.868克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)30nC@10V
输入电容(Ciss)1.78nF
反向传输电容(Crss)160pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(4000个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个4000个/圆盘

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