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NCE30H15

1个N沟道 耐压:30V 电流:150A

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描述
N沟道,30V,150A
商品型号
NCE30H15
商品编号
C191379
商品封装
TO-220-3L​
包装方式
管装
商品毛重
2.673克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))3mΩ@10V
耗散功率(Pd)130W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)5nF
反向传输电容(Crss)563pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

NCEP0178AF采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(Qg)极低,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。

商品特性

  • VDS = 30V,ID = 150A
  • RDS(ON) < 3.0 m Ω(VGS = 10 V 时)
  • RDS(ON) < 4.0 m Ω(VGS = 4.5 V 时)
  • 高密度单元设计,实现超低 RDS(ON)
  • 雪崩电压和电流特性全面表征
  • 高 EAS 下稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能出色的封装
  • 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力

应用领域

  • 功率开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF