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NCE60P50
1个P沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于高电流负载应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE60P50
- 商品编号
- C190859
- 商品封装
- TO-220-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 95W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.46nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 535pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 719pF |
商品概述
NCE60P50采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- VDS = -60V，ID = -50A
- 当VGS = -10V时，RDS(ON) < 28mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 高单脉冲雪崩能量下稳定性和一致性良好
- 出色的封装，散热性能佳
应用领域
- 负载开关