N沟道 耐压:600V 电流:20A
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
连续漏极电流(Id) | 20A | |
功率(Pd) | 208W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 190mΩ@10V,10A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):98nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3080pF @ 25V
功率 - 最大值:208W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装:TO-3PN