FDD8870
1个N沟道 耐压:30V 电流:160A 电流:21A
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描述
此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计,可以使用同步开关 PWM 控制器,也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化,可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
FDD8870商品编号
C10868商品封装
TO-252(DPAK)包装方式
编带
商品毛重
0.438克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 21A;160A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.9mΩ@10V,35A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 160W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 118nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 5.16nF@15V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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