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NTJD5121NT1G
2个N沟道 耐压:60V 电流:295mA
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- 描述
- 特性：低RDS(on)。 低栅极阈值。 低输入电容。 静电放电保护栅极。 这是无铅器件。应用：低端负载开关。 DC-DC转换器（降压和升压电路）
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTJD5121NT1G
- 商品编号
- C15215
- 商品封装
- SC-88
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 295mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 900pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 26pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
~~- 低导通电阻RDS(ON)-低栅极阈值-低输入电容-栅极具备静电放电保护-这是一款无铅器件
应用领域
- 低端负载开关-直流-直流转换器(降压和升压电路)