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NTJD5121NT1G

2个N沟道耐压:60V 电流:295mA

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描述: 特性：低RDS(on)。低栅极阈值。低输入电容。静电放电保护栅极。这是无铅器件。应用：低端负载开关。 DC-DC转换器（降压和升压电路）
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTJD5121NT1G
商品编号: C15215
商品封装: SC-88
包装方式: 编带
商品毛重: 0.032克(g)

商品参数

FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：295mA
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：0.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：26pF @ 20V
功率 - 最大值：250mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SC-88/SC70-6/SOT-363

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	295mA
	导通电阻(RDS(on))	1.6Ω@10V
	耗散功率(Pd)	250mW

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	900pC@4.5V
	输入电容(Ciss)	26pF@20V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-