TPS76633DR

该器件设计为具有超低静态电流，并能与 4.7 μF 电容稳定配合。这种组合以合理的成本提供了高性能。

由于 PMOS 器件表现为低阻值电阻，因此压差非常低（对于 TPS76650，在 250 mA 输出电流时典型值为 230 mV），且与输出电流成正比。此外，由于 PMOS 传输元件是电压驱动器件，静态电流非常低，且与输出负载无关（在 0 mA 至 250 mA 的全输出电流范围内，典型值为 35 μA）。这两项关键指标显著延长了电池供电系统的工作寿命。该 LDO 系列还具备睡眠模式；向 EN（使能）端施加 TTL 高电平信号可关闭稳压器，将静态电流降至小于 1 μA（典型值）。

电源正常（PG）是一个高电平有效输出，可用于实现上电复位或低电量指示。

TPS766xx 提供 1.5 V、1.8 V、2.5 V、2.7 V、2.8 V、3.0 V、3.3 V 和 5.0 V 固定电压版本以及可调版本（可在 1.25 V 至 5.5 V 范围内编程）。在电压、负载和温度范围内，输出电压容差最大为 3%。TPS766xx 系列采用 8 引脚 SOIC 封装。

• 250 mA 低压差稳压器，提供 1.5 V、1.8 V、2.5 V、2.7 V、2.8 V、3.0 V、3.3 V、5.0 V 固定输出和可调版本
• 250 mA 时压差低至 140 mV（典型值，TPS76650）
• 典型静态电流超低，仅 35 μA
• 固定输出版本在规定条件下容差为 3%
• 漏极开路电源正常输出
• 8 引脚 SOIC 封装
• 热关断保护