FDV301N
1个N沟道 耐压:25V 电流:220mA
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描述
此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻,所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
FDV301N商品编号
C15310商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 25V | |
连续漏极电流(Id) | 220mA | |
导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V,0.4A | |
耗散功率(Pd) | 350mW |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 1.06V@250uA | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
输入电容(Ciss@Vds) | 9.5pF@10V | |
反向传输电容(Crss) | 1.3pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量(3000个/圆盘,最小起订量 10 个 )
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起订量:10 个3000个/圆盘
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