1个N沟道 耐压:25V 电流:220mA
- 10+: ¥0.333422 / 个
- 100+: ¥0.270354 / 个
- 300+: ¥0.237919 / 个
- 3000+: ¥0.211202 / 个 (折合1圆盘633.61元)
- 6000+: ¥0.201879 / 个 (折合1圆盘605.64元)
- 9000+: ¥0.195572 / 个 (折合1圆盘586.72元)
10+: |
¥0.333422 / 个 |
100+: |
¥0.270354 / 个 |
300+: |
¥0.237919 / 个 |
3000+: |
¥0.211202 / 个 (折合1圆盘633.61元) |
6000+: |
¥0.201879 / 个 (折合1圆盘605.64元) |
9000+: |
¥0.195572 / 个 (折合1圆盘586.72元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 25V | |
连续漏极电流(Id) | 220mA | |
功率(Pd) | 350mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4Ω@4.5V,400mA | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.06V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 700pC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 9.5pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |