FDV301N
1个N沟道 耐压:25V 电流:0.22A
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- 描述
- 此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻，所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDV301N
- 商品编号
- C15310
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@2.7V,0.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.06V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：220mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：4 欧姆 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.06V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：0.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：9.5pF @ 10V
功率 - 最大值：350mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：220mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：4 欧姆 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.06V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：0.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：9.5pF @ 10V
功率 - 最大值：350mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23
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