1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
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- 10+: ¥0.202768
- 100+: ¥0.16627
- 300+: ¥0.1475
- 3000+: ¥0.13072 ¥0.13204 (折合1圆盘396.12元)
- 6000+: ¥0.125379 ¥0.126645 (折合1圆盘379.94元)
- 9000+: ¥0.121765 ¥0.122995 (折合1圆盘368.98元)
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¥0.125379 ¥0.126645 (折合1圆盘379.94元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 115mA | |
功率(Pd) | 225mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.5Ω@10V,500mA | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):115mA(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V
功率 - 最大值:225mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)