1个P沟道 耐压:60V 电流:1.7A
- 1+: ¥5.96 / 个
- 10+: ¥5 / 个
- 30+: ¥4.47 / 个
- 100+: ¥3.88 / 个
- 500+: ¥3.38 / 个
- 1000+: ¥3.26 / 个 (折合1圆盘3260元)
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¥5.96 / 个 |
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¥4.47 / 个 |
100+: |
¥3.88 / 个 |
500+: |
¥3.38 / 个 |
1000+: |
¥3.26 / 个 (折合1圆盘3260元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
功率(Pd) | 1W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 185mΩ@10V,2.4A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@1mA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 14.3nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 492pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |