NTD4858NT4G

1个N沟道耐压:25V 电流:73A

描述: N沟道,25V,14A,9.3mΩ@4.5V
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTD4858NT4G
商品编号: C15955
商品封装: TO-252-2(DPAK)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.438克(g)

商品参数

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11.2A（Ta），73A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：6.2 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：19.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1563pF @ 12V
功率 - 最大值：1.3W
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK-3

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	25V
	连续漏极电流(Id)	73A
	导通电阻(RDS(on))	9.3mΩ@4.5V,30A
	耗散功率(Pd)	54.5W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	25.7nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.563nF
	反向传输电容(Crss)	200pF
	工作温度	-
	配置	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	405pF