NTD4858NT4G
1个N沟道 耐压:25V 电流:73A
- SMT扩展库
- 嘉立创SMT补贴
描述
N沟道,25V,14A,9.3mΩ@4.5V
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
NTD4858NT4G商品编号
C15955商品封装
TO-252-2(DPAK)包装方式
编带
商品毛重
0.438克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 25V | |
连续漏极电流(Id) | 73A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6.2mΩ@10V,73A | |
功率(Pd) | 2W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 25.7nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.563nF@12V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 200pF@12V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11.2A(Ta),73A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.2 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):19.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1563pF @ 12V
功率 - 最大值:1.3W
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:DPAK-3
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11.2A(Ta),73A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.2 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):19.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1563pF @ 12V
功率 - 最大值:1.3W
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:DPAK-3
梯度价格
嘉立创贴片惊喜价格立即查看
梯度
售价
折合1圆盘
1+¥6.29
10+¥5.24
30+¥4.71
100+¥4.19
500+¥3.56
1000+¥3.4¥8500
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
0
江苏仓
0
SMT仓
1
购买数量(2500个/圆盘,最小起订量 1 个 )
个
起订量:1 个2500个/圆盘
近期成交0单
精选推荐