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NTD4858NT4G
1个N沟道 耐压:25V 电流:73A
- 描述
- N沟道,25V,14A,9.3mΩ@4.5V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD4858NT4G
- 商品编号
- C15955
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 73A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.3mΩ@4.5V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 54.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.563nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 405pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、功率因数校正以及基于半桥的电子灯镇流器。
商品特性
- 12.5A、500V，漏源导通电阻 = 0.43 Ω（在栅源电压 = 10 V时）
- 低栅极电荷（典型值45 nC）
- 低Crss（典型值25 pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
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