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NTGS4111PT1G
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.7A
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- 描述
- 功率 MOSFET， -30 V，-4.7 A，单 P 沟道，TSOP-6
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTGS4111PT1G
- 商品编号
- C15740
- 商品封装
- SC-88
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V,2.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品特性
- 采用领先的 -30 V 沟槽工艺，实现低导通电阻 RDS(on)
- 薄型封装，适用于便携式应用
- 表面贴装 TSOP - 6 封装，节省电路板空间
- 提高电池应用的效率
- NV 前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用；符合 AEC - Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 提供无铅封装
应用领域
- 电池管理与开关
- 负载开关
- 电池保护
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