FDS8884
1个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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描述
此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总体效能而设计,可以使用同步开关 PWM 控制器,也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化,可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
FDS8884商品编号
C10883商品封装
SOIC-8包装方式
编带
商品毛重
0.207克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 23mΩ@10V,8.5A | |
功率(Pd) | 2.5W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 13nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 635pF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 100pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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