FDP18N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:18A
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描述
UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻,提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
FDP18N50商品编号
C11768商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2.16克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
连续漏极电流(Id) | 18A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 265mΩ@10V,9A | |
功率(Pd) | 235W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 60nC | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.86nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 40pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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