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FDS6294
1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
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- 描述
- N沟道,30V,13A,11.3mΩ@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6294
- 商品编号
- C14973
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.4mΩ@4.5V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.205nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 323pF |
商品概述
RUFD系列绝缘栅双极型晶体管（IGBT）具有低导通和开关损耗，以及短路耐受能力。RUFD系列专为需要具备短路耐受能力的应用而设计，如电机控制、不间断电源（UPS）和通用逆变器等。
商品特性
- 短路额定值为10μs，结温（Tc）=100°C，栅极 - 发射极电压（VGE）=15V
- 高速开关
- 低饱和电压：集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)）=2.2V，集电极电流（IC）=15A
- 高输入阻抗
- CO - PAK封装，集成快恢复二极管（FRD）的IGBT：反向恢复时间（trr）=42ns（典型值）
应用领域
-交流和直流电机控制-通用逆变器-机器人技术-伺服控制