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IRF7853TRPBF

1个N沟道 耐压:100V 电流:8.3A

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描述
N沟道,100V,8.3A,18mΩ@10V
商品型号
IRF7853TRPBF
商品编号
C15001
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.286克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)8.3A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@10V,8.3A
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))4.9V@100uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)39nC@10V
输入电容(Ciss)1.64nF
反向传输电容(Crss)71pF
工作温度-55℃~+150℃
类型-
输出电容(Coss)1.6nF

数据手册PDF

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(4000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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