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MBRD1035CTLT4G

电压:35V 电流:5A

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描述: 采用肖特基势垒原理，应用于大面积金属-硅功率二极管。先进的几何结构采用外延结构，具有氧化物钝化和金属覆盖层接触。非常适合低压、高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: MBRD1035CTLT4G
商品编号: C15093
商品封装: TO-252-2(DPAK)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.438克(g)

商品参数

二极管配置：1 对共阴极
二极管类型：肖特基
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）：35V
电流 - 平均整流（Io）（每二极管）：5A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）：470mV @ 5A
速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流：2mA @ 35V
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK-3

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	属性	参数值
	商品目录	肖特基二极管
	二极管配置	1对共阴极
	正向压降(Vf)	470mV@5A
	直流反向耐压(Vr)	35V

	属性	参数值
	整流电流	5A
	反向电流(Ir)	2mA@35V
	工作结温范围	-55℃~+150℃
	非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)	50A