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MBRD1035CTLT4G
电压:35V 电流:5A
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- 描述
- 采用肖特基势垒原理，应用于大面积金属-硅功率二极管。先进的几何结构采用外延结构，具有氧化物钝化和金属覆盖层接触。非常适合低压、高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MBRD1035CTLT4G
- 商品编号
- C15093
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 肖特基二极管 | |
| 二极管配置 | 1对共阴极 | |
| 正向压降(Vf) | 470mV@5A | |
| 直流反向耐压(Vr) | 35V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 整流电流 | 5A | |
| 反向电流(Ir) | 2mA@35V | |
| 工作结温范围 | -55℃~+150℃ | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 50A |
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